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LQTS合并尖端扭轉性室速(2)

2012-02-15 16:36 閱讀:5800 來源:華中科技大學同濟醫(yī)學院附屬同濟 責任編輯:申瓊鶴
[導讀] 圖1 竇性心動過緩,Q-T間期為600 ms,校正的QT間期(QTc)為470ms 圖2 癥狀發(fā)作時心電活動為 圖3 ICD放電時體表心電圖 圖4 ICD放電時腔內(nèi)電活動圖 一例被診斷為先天性長QT綜合征(LQTS)的患者,入院后發(fā)生尖端扭轉性室性心動過速(TPVT),經(jīng)置入埋藏式心律

    討論

    LQTS病因與發(fā)病機制:

    根據(jù)病因不同,LQTS可分為先天性和獲得性2種。

    LQTS并非臨床常見疾病,但因其發(fā)病突然,猝死率高而受到廣泛重視。

    編碼離子通道的基因突變、心肌細胞膜離子通道蛋白結構和功能異常,導致心肌細胞動作電位復極時間延長,為先天性LQTS的發(fā)病機制。

    根據(jù)臨床表現(xiàn)和染色體不同,先天性LQTS分為2個亞型:Jervell-Lange-Nielsen綜合征(少見的心臟-聽力障礙綜合征,屬常染色體隱性遺傳)和Roman-Ward綜合征(較常見,屬常染色體顯性遺傳)。

    至今已發(fā)現(xiàn)至少11個基因與遺傳性LQTS有關,目前,對于LQT 1型、LQT 2型、LQT 3型的研究較為充分。

    LQT 1型和LQT 2型與K+通道異常有關,九成左右的LQTS可歸為上述2類。LQT 3型與Na+通道異常有關(占5%左右)。

    研究發(fā)現(xiàn),3種類型LQTS的發(fā)作條件不同。其中,LQT 1型患者多于運動或體力活動時發(fā)病;LQT 2型患者多在受到聲音刺激或情緒波動時發(fā)??;LQT 3型患者多在心律緩慢和睡眠中發(fā)病。

    LQTS心電圖表現(xiàn):

    LQTS患者的心電圖ST-T波形可能具有基因特異性。

    LQT 1型心電圖特點包括以下幾種。

    1. 嬰兒型ST-T波形:T波基部較寬,頂部尖銳,下降支陡立,呈非對稱狀。

    2. 寬大T波:多數(shù)導聯(lián)T波呈單峰,基部寬大,起點不明確,上升和下降支光滑。

    3. 正常形態(tài)T波或晚發(fā)正常T波。

    LQT 2型心電圖特點為多導聯(lián)雙峰T波、T波幅度通常較低、QTc可正常或明顯延長。

    LQT 3型心電圖特點為晚發(fā)尖銳/雙相T波或非對稱高尖T波。

    根據(jù)發(fā)病情況及心電圖表現(xiàn),本例患者為 LQT 1型的可能性較大,可能致病原因為膜傳導異常引發(fā)心室跨膜復極離散,進而產(chǎn)生早期后除極,誘發(fā)室性早搏和TPVT。

    ICD治療

    1. 對于LQT伴暈厥和猝死史的患者,應及時進行ICD治療。

    對于LQTS高危(具有家族猝死史合并QTc≥500 ms的LQT 1型患者、QTc≥500 ms的LQT 2型男性患者、所有LQT 2型女性患者和所有LQT 3型患者)但尚未出現(xiàn)癥狀者,是否應當置入ICD值得商榷。

    2. ICD可預防猝死發(fā)生,但并不能減少室性心動過速和心室顫動發(fā)生,且電擊給患者帶來了較大的痛苦和恐懼。因此,應聯(lián)合應用患者可耐受的最大劑量β受體阻滯劑,盡量減少心律失常發(fā)生。

    3. ICD置入后,應盡量保證患者正常的內(nèi)環(huán)鏡狀態(tài),避免ICD電風暴。

    ICD電風暴發(fā)生的原因目前尚不清楚,可能與心肌缺血、心功能不全、電解質紊亂和酸堿平衡失調(diào)有關,交感神經(jīng)興奮性異常和β受體阻滯劑用量不足也是重要的誘發(fā)因素。

    本例患者術后出現(xiàn)一過性發(fā)熱,影響機體內(nèi)環(huán)境穩(wěn)定性,增加室性早搏發(fā)生次數(shù),誘發(fā)TPVT和ICD放電。同時,ICD放電刺激會引發(fā)患者情緒緊張、交感神經(jīng)興奮和過度換氣,再次誘發(fā)室性心動過速和ICD電擊,形成惡性循環(huán)。

    因此,在ICD術后應保持機體內(nèi)環(huán)境的良好狀態(tài),維持電解質和酸堿平衡,預防感染和心肌缺血,并盡可能地加大β受體阻滯劑用量。

    一旦術后出現(xiàn)ICD風暴,靜脈應用抗心律失常藥物通常為有效措施。

    胺碘酮可延長QT間期,但并不增加心肌細胞的跨室壁復極離散(TDR),因此,在大劑量β受體阻滯劑仍無法完全控制TPVT發(fā)作時,聯(lián)合應用胺碘酮可減少TPVT發(fā)作,減少ICD的放電次數(shù)。

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